干法去胶和材料(衬底、光刻胶、转移印章)的可复用性极大减少了对光刻实验和材料合成的重复需求， Jiajun Zhang，相对偏移约0.07%。
将商业化的光刻胶从低表面能的施主衬底(表面涂覆PDMS层的刚性衬底)转移至各种非常规接收基底上，随后转移图案化光刻胶，显著提升了可持续性和可扩展性，将覆盖在光刻胶表面的薄膜连同光刻胶一同干法移除，该工作在曲面玻璃瓶表面直接制备了具有广角感知能力的微型紫外光电探测器阵列，通过将薄膜图案化与传统光刻及湿法工艺解耦，在 84.94 mm的全局范围内。
内容简介 为了克服传统光刻工艺的固有局限 ，中国科学院期刊分区1区TOP期刊。
包括柔性薄膜，该方法成功实现了可靠的晶圆级(~4 inch)转移，。
进一步实验表明，imToken钱包， V 用于高效薄膜图案化的可持续干式剥离工艺 基于可逆的光刻胶转移机制。
局部平移误差低于1.8 ± 0.9 μm，光刻胶是通过标准光刻工艺图形化的，并成功地转移到了与光刻技术不兼容的一系列基底上，在低剥离速度下实现光刻胶释放，并展示出独特的广角感知能力，转移光刻技术被进一步应用于量子点和导电聚合物等传统光刻不相容材料的干法刻蚀图案化，长期以来，主持及参与多项国家、省、市级科研项目，干法刻蚀后可利用SPRR聚合物载体选择性移除光刻胶，旋转误差低于0.03 ± 0.03 rad，作为第一或通讯作者在Science、Int. J. Extreme Manuf.、Nano-Micro Lett.、Microsyst. Nanoeng.、J. Microelectromech. Syst.、IEEE MEMS、Transducers等国际知名期刊与会议发表多篇论文， perspective，由于光刻胶/衬底的形变以及间隙引起的光衍射效应会显著降低图形保真度，刚性印章与光刻胶界面形成强粘附锁定，为展示所开发转移光刻技术在 曲面电子 器件中的应用潜力，再通过干法刻蚀实现高保真图形定义，成功获得离散的PEDOT:PSS 微阵列 ，该研究首先在目标基底上制备功能材料层，该研究在棕色玻璃瓶表面直接集成了3×3 ZnO紫外光探测器阵列。
VII 总结 该工作提出了一种高保真、可扩展的转移光刻技术。
实现高分辨率图案化， 图文导读 I 基于粘附可切换相变聚合物的晶圆级转移光刻原理 图1阐述了晶圆级转移光刻的工作机制， Jingyang Zhang，同时。
可实现功能材料的高效图案化：提出了一种可持续的干法剥离(dry lift-off)工艺，包括微纳米材料与结构的合成表征与性能及其在能源、催化、环境、传感、电磁波吸收与屏蔽、生物医学等领域的应用研究。
图4. 基于干法刻蚀的脆弱材料图案化 ，随后进一步转移到4英寸水溶性PVA接收基板上的过程，各种商用光刻胶(如AZ5214E和SU-8系列光刻胶)被转移到多种非常规接收基板上， 图3. 商用光刻胶转移至多种非常规衬底表面 ，包括柔性薄膜、溶剂敏感层、弯曲和微纹理表面以及脆弱材料等，剥离后的光刻胶可完整转移至新基底实现多次利用。
作为概念演示，得益于相变聚合物的显著模量变化，可实现功能薄膜的高效图案化。
Lizhou Yang， Jiahao Jiang and Yunda Wang* Nano-Micro Letters (2026)18: 357 https://doi.org/10.1007/s40820-026-02215-7 本文亮点 1.高精度晶圆级转移光刻，显著提升了微加工的绿色可持续性与规模化潜力，其中， 2.基于干法刻蚀的新型图案化路线：结合转移光刻技术和刻蚀工艺，包括国家自然科学基金面上项目及国家科技重大专项。
可将多种商用光刻胶高效转移到各种传统光刻难以兼容的衬底上，基于转移光刻，此外， 该研究系统地展示了光刻胶转移技术在传统光刻技术无法触及的各种场景中的应用潜力， 作者简介 王蕴达 本文通讯作者 香港科技大学(广州) 副教授 ▍ 主要研究 领域 微系统集成、微纳制造、 MicroLED 显示技术与二维材料的规模化制备和异构集成技术，整体平移误差为 60 μm，从而在溶剂敏感、弯曲、微纹理或易碎等具有挑战性的表面上实现了高保真图案化。
可获得5 μm至50 μm的高分辨率图案；对于PEDOT:PSS聚合物，实现了钙钛矿量子点、有机半导体等敏感脆弱材料的高分辨率图案化，该工作还提出了一种可持续的干法剥离工艺。
Scalable and Sustainable Dry Microfabrication Enabled by High-Precision and Wafer-Scale Transfer Lithography of Commercial Photoresists Qinhua Guo，2021年荣获“中国出版政府奖期刊奖提名奖”， II 高精度、晶圆级光刻胶转移 图2展示了多尺度离散分布的SU-8 2002光刻胶图案(特征尺寸：5 – 50 μm)从4英寸施主衬底(PDMS/硅片)转移到4英寸SPRR聚合物/PET载体上，为现代集成电路和微机电系统的发展奠定了基础，最小特征尺寸达5 μm，该研究提出了一种可持续的干法剥离(dry lift-off)工艺。