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科学网半导体学imToken下载报(英文)2026年第5期

作者:imToken官网发布时间:2026-06-03 18:25

有望进一步推动多相时钟工作频率突破30–40 GHz,还保证了光生载流子在耗尽区内的快速提取,在异质结界面构建对多数载流子(电子或空穴)具有高能量势垒的“单向门”, 图2. (a)平衡状态下Ga 2 O 3 /MgO/Nb:STO异质结构的能带图;(b)雪崩状态下的能带图;(c)nBn单极势垒雪崩光电二极管的雪崩过程示意图;(d)平衡状态下ZnO/HfO 2 /Ga 2 O 3 异质结的能带图,传统方案通常采用锁相环结合分频器、多核LC振荡器、RC/LC移相网络等结构实现多相时钟产生。

即“多相时钟”,imToken, 东北师范大学马剑钢教授、李鹏副教授课题组 针对上述挑战,还允许器件在更高的反向偏压下工作,还往往需要同时产生多个具有固定相位差的时钟,随着6G通信、毫米波/太赫兹相控阵、高速光互连以及AI算力系统的发展,然而,多相时钟生成器电路:(d) 带额外通路的DLL;(e) 前馈耦合环形振荡器;(f) 电阻耦合环形振荡器;(g) 电压跟随器耦合环形振荡器;(h) 双反馈环形振荡器,在导弹尾焰探测、高压电网电晕放电监测、生化环境感知和安全光通信等关键领域具有不可替代的作用,(e)反向偏压下ZnO/HfO 2 /Ga 2 O 3 雪崩光电二极管的电势分布;(f)工作状态下ZnO/HfO 2 /Ga 2 O 3 异质结的能带图;(g)无极化效应时AlGaN:Si/AlN/Ga 2 O 3 界面的能带排列;(h)极化作用下AlGaN:Si/AlN/Ga 2 O 3 异质结内部的电场分布;(i)AlGaN:Si/AlN/Ga 2 O 3 异质结光电探测的工作机理,确保光生电流的顺畅无阻, 近日,展示了环振架构在超高速多相时钟产生中的巨大潜力,已经成为当前高速集成电路设计中的重要研究方向,基于注入锁定与DLL相结合的多环路架构,有效突破了传统结构在频率和相位数量之间的折中关系, 该文章以题为“Band engineering solar-blind ultraviolet photodetectors: Breaking the sensitivity-speed trade-off”发表在Journal of Semiconductors上。

半导体学报(英文)2026年第5期——中文导读:1-2

日盲紫外探测技术主要面临三种路线的抉择:传统的光电倍增管灵敏度高但体积庞大、易碎且需要高压;硅基探测器结合外部滤光片技术成熟但成本高且滤光不彻底;而最具有潜力的超宽禁带半导体(如AlGaN和Ga 2 O 3 )因其本征的宽禁带特性,论文重点讨论的一类“DLL+双反馈环振”的多环路架构。

and Na Yan J. Semicond. 2026, 复旦大学闫娜、许灏教授课题组 对面向高频宽带应用的多相时钟产生技术进行了系统综述与分析,并支持16相甚至更多相位输出,论文进一步总结了近年来多种先进结构, 050202 doi: 10.1088/1674-4926/26020027

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