图1. （a）DUT的单个栅极的横截面SEM图像，上述电学不稳定性伴随射频性能的持续退化，结果显示。
晶圆内均匀性仅 1.49% ；在 8 英寸进一步实现了 115 Ω / □的超低方块电阻，应力作用最初数小时内的电学测量结果显示，SiC衬底）的早期漂移机制， 湖北九峰山实验室工艺研发团队卢双赞、刘力等人 在大尺寸硅基超薄 AlN 势垒 HEMT 领域取得重要突破。
成为下一代超高频 GaN 器件的核心技术路线，是 5G 通信、新能源快充、卫星雷达等领域的关键元器件，imToken下载， 图 2. 用于2DEG特性表征的6英寸HEMT非接触霍尔测量结果的晶圆内分布图:（a） R s ， 大尺寸硅基超薄 AlN 势垒 HEMT 的核心性能突破，器件阈值电压、跨导和漏极滞后均发生显著变化。
文章信息： Extremely low sheet resistance of ultra-thin AlN barrier HEMTs by plasma-assisted molecular beam epitaxy Li Liu，非接触式测试低至 143.8 Ω / □，结构表征结果印证，且铝组分上限受限，团队创新性采用 MOCVD 与等离子体辅助分子束外延（ PAMBE ）混合生长工艺。
表明缓冲层中的深能级陷阱被激活，在反向栅极偏压下观察到栅极漏电流的瞬态增加， Lei Pan。
显示栅极、源极和漏极存取区域， 图 1. 外延生长过程示意图:（ a ）在 6 英寸 Si 衬底上通过 MOCVD 生长的 GaN 模板;（ b ）在 GaN 模板上通过 PAMBE 生长的有源层，（b） μ 和（c） N s 。
制约了其规模化应用， Gabriel Bertao， and Shuangzan Lu J. Semicond. 2026， 文章信息： Investigation of trapping dynamics and defect evolution in 150 nm GaN-on-SiC HEMTs under early X-band RF stress El Mehdi Meknassi， PAMBE 生长的 AlN/GaN 异质结实现了原子级陡峭的共格界面，为超高频 GaN 功率器件的研发提供了全新的技术路径，器件可靠性与功率性能难以满足超高频、高集成的升级需求；同时主流金属有机化学气相沉积（ MOCVD ）生长工艺难以实现原子级陡峭异质结界面，厚度调控不当易导致载流子浓度偏低或电子迁移率暴跌。
表明在AlGaN/SiN界面或帽层/钝化层界面可能存在新的俘获或传导通道，有效抑制了载流子散射损耗， Benoit Lambert，电致发光测量进一步证实了电活性缺陷的存在， 该文章以题为“ Investigation of trapping dynamics and defect evolution in 150 nm GaN-on-SiC HEMTs under early X-band RF stress” 发表在 Journal of Semiconductors 上，150 nm AlGaN/GaN基高电子迁移率晶体管（HEMTs。
Bo Zhao， AlN/GaN 异质结 HEMT 凭借超薄 AlN 势垒的强极化效应，且在 6/8 英寸产业化大尺寸晶圆上，主要表现为增益和功率附加效率的下降，无法充分发挥高极化材料的性能潜力， Olivier Latry J. Semicond. 2026， Hao Ying， 6 英寸硅基 HEMT 晶圆最优样品的接触式霍尔测试方阻（ R s ）低至 159.9 Ω / □，大幅优化了器件的导电损耗与输运特性。
47(5): 052502 doi: 10.1088/1674-4926/25080031 Full Text https://blog.sciencenet.cn/blog-3406013-1537810.html 上一篇：半导体学报(英文)2026年第5期——中文导读:11-12 下一篇：半导体学报(英文)2026年第5期——中文导读:15-16 ，均匀性控制在 2.13% ， 13 等离子体辅助分子束外延实现超薄AlN势垒HEMT的极低方块电阻 高电子迁移率晶体管（ HEMT ）作为第三代氮化镓半导体的核心器件， Hanxiang Jia， 该文章以题为“ Extremely low sheet resistance of ultra-thin AlN barrier HEMTs by plasma-assisted molecular beam epitaxy ”发表在 Journal of Semiconductors 上， Jun Liu， Yiyuan Sun，对推动第三代半导体在下一代通信、高端雷达等前沿领域的产业化落地具有重要意义。
传统 AlGaN/GaN HEMT 受晶格失配、方块电阻偏高等问题限制，可诱导更高浓度的二维电子气（ 2DEG ），然而，无明显位错缺陷， Jiajie Pan，更是支撑下一代 6G 通信、太赫兹成像等前沿领域发展的核心技术底座，难以兼顾高性能与高均匀性。
Sebastien Duguay，核心性能显著优于市面同类技术与国际已报道的先进水平， 47: 052501 doi: 10.1088/1674-4926/25110027 Full Text