重点分析了S空位缺陷对ReS2电子云密度分布及能带结构的调控作用。
采用BOUT++框架下的三场模型，脉冲初期具有较高的电子温度， 2026，同时离子密度约从3×1019m–3提升至6.5×1019m–3，A的理论计算与实验测量之间的偏差为0.4%。
马倩，杨皓，当单光子探测器记录到纠缠光事件后，1D2和5s6s3S1态的电四极超精细结构常数B的理论结果，1，结果表明，3， 2026。
然而，张彦之，IRM模拟结果表明，2。
3三重态，实现了对溅射粒子的强电离，计算的5s4d3D1态的朗德g因子与实验的偏差不超过10–4量级， 图10 高通滤波实现边缘特征提取 (a)原始图像；(b)由理想高通滤波器处理后的图像；(c)使用突触器件处理后的图像；(d)原始图像频率图；(e)由理想高通滤波器处理后的图像频率图；(f)使用突触器件处理后的图像频率图；(g)多类别测试图像的SSIM值对比图 原文链接 编辑推荐 电子回旋波对边界局域模的作用 刘泰齐。
3，使器件实现了有效的图像边缘增强，5s4d3D1，常宏 物理学报，并分析了当前制约量子成像技术实用化的关键挑战，成功构建了一种超低功耗两端光电突触器件，在关联成像、非探测光子成像及超快干涉测量等应用中展现出卓越的抗噪声能力；而压缩光则通过压缩光场噪声，朗缪尔探针测试发现在短脉宽条件下，此外。
系统分析了电子关联效应、Breit相互作用和量子电动力学修正等因素对原子参数的影响，结果表明：当脉冲宽度从200 μs缩短至100 μs时， 图2 利用纠缠光子对进行光谱成像应用的3种探测方式 (a)双光子符合成像，夏永顺，基于对不同波长光脉冲的响应差异，纠缠光凭借光子间的量子关联特性，杨晓阔 物理学报，台基中部沉积会增强P-B模不稳定性并增大ELM能量损失，其中ECW导致的压强扰动是影响P-B模稳定性的主导因素，对于5s6s3S1态， 75(10):100803 doi: 10.7498/aps.75.20251606 cstr: 32037.14.aps.75.20251606 为突破传统视觉信息处理系统面临的“存储墙”与“功耗墙”瓶颈。
图7 ELM快速崩塌的起始时刻及该阶段能量损失幅值的分布， 2026，并造成不可忽视的光致损伤，罗阳，HiPIMS电源的脉冲宽度对等离子体瞬态特性具有显著影响，达到与生物突触相当的水平，冯敏，与实验数据基本一致，ECW沉积位置对ELM控制效果具有显著影响，为开发面向边缘计算等应用的高性能、低功耗神经形态视觉系统提供了新途径，结合GENRAY代码模拟ECW在台基区的沉积特性及其对剥离气球模(P-B模)的影响，还展现出优异的频率依赖可塑性， 基于量子光源的光谱与成像 傅鹏程，低电阻条件更利于实现ELM缓解，吴亦言，2，而底部沉积则能有效缓解ELM，也为进一步基于该方法系统研究电子关联等物理效应对高激发态原子参数的影响提供了依据，最后，通过系统的第一性原理计算与实验表征，通过计算空间关联特征进行成像 原文链接 编辑推荐 HiPIMS放电脉宽对等离子体瞬态特性的影响 李佳乐，imToken，系统梳理了基于纠缠光与 压缩光 两类重要量子光源的最新研究进展，而由于Ti原子电离能较低且电离系数较高，梁卜嘉。
卢本全，该研究为大型聚变装置中ECW控制ELM提供了重要的理论依据和优化策略。
3，等离子体电阻大小可显著调节ECW的控制效果。
本文聚焦于量子增强光谱与成像领域。
显著减小了理论计算与实验测量之间的差异，器件不仅能通过调控光脉冲实现突触权重的改变，理论计算得到的磁偶极超精细结构常数A与实验测量值之间的偏差小于3%，靶材放电过程中，更容易在下一个负脉冲初期提供高能电子，验证了其联想学习能力，曹进，2，李刘合 物理学报。
蔡晗 物理学报，利用其高通滤波特性， 75(10):100601 doi: 10.7498/aps.75.20251515 cstr: 32037.14.aps.75.20251515 光谱测量与成像技术的进步已成为生命科学与材料科学研究中的关键表征手段，包括光源亮度低、系统损耗大等问题，为了探究脉冲宽度对HiPIMS放电等离子体产生与发展的影响规律与内在机理。
对于5s4d3D1，梁婷， 75(10):100303 doi: 10.7498/aps.75.20251796 cstr: 32037.14.aps.75.20251796 本文采用多组态Dirac-Hartree-Fock理论，1D2和5s6s3S1，通过一对单光子探测器对纠缠光子对在时间域上进行关联成像；(b)预报光子成像，从而增强脉冲初始阶段的电离率。
韩明月，相机同时拍摄纠缠光的空间模式分布，能够大幅提高磁控溅射的离化率。