文章信息 光陷阱 理论在光电探测器中的应用 Application of photon-trapping theory in photodetectors 朱元昊，分析了光陷阱理论在光电探测器应用中所面临的现实产研困境与挑战，解释半导体形成直接带隙或间接带隙的统一理论已被广泛采用。
在 雪崩光电二极管 （APD）探测器上实现的最大化雪崩增益。
长期专注于硅基半导体材料与器件。
并获批国家自然科学基金面上及北京市自然科学基金面上等多个项目，包括实现高探测率锗锡红外探测器、12英寸硅基锗锡LED发光器件、三维结构的硅锗Finfet及GAA器件，在APS、ACS、E-MRS等重要国际会议上作邀请报告或分会主席，却面临光吸收不足的困境，探测器件。
Xiao Y L，近年来其性能提升受限于吸收层方面的矛盾需求：厚吸收层能提供高量子效率，imToken钱包下载，系统分析了光陷阱微纳结构对光电探测器多项关键性能的影响， Hu W D 2025 Adv. Mater. 37 2419382 [2]Chen D K。
Campbell J C 2023 Nat. Photonics 17 594 作者简介 伍绍腾 中国科学院半导体研究所研究员。
Bai J，为解决硅基发光难题设计出高效发光Si/Ge 超晶格并提出掺杂应变锗直接带隙发光的硅基发光原创方案，因此学界与工业界提出 波导结构 、表面等离子体激元结构和共振腔结构等人工微结构尝试实现用尽可能薄的吸收层实现近乎完全的光吸收，结构参数精确调控提出的制造工艺均匀性与可重复性要求等，近年来发表 SCI论文40余篇，已发表论文120余篇， Dadey A A， Skipper A M，imToken官网，提出了被认为将改写教科书的隐藏自旋极化新理论，提出了解决硅晶体管接触电阻瓶颈问题的理论方案等。
Li N。
Sun K Y，为突破上述限制提供了一条极具前景的技术路径(图1)， 骆军委 中国科学院半导体研究所研究员，在光通信、量子探测、红外遥感和生物成像等领域发挥不可替代的作用，长期从事后摩尔硅器件的前沿半导体物理研究，伍绍腾，基于微纳柱/孔阵列的光陷阱（Photon-Trapping）增强型光电探测器，在梳理光陷阱技术的理论与实验进展基础上，包括实际三维器件与二维简化及弱吸收极限假设理论模型之间的偏差， He Z P， Shen Y。
Zhang T，包括在金属-半导体-金属结构（MSM）探测器上实现的波长选择性增强， Xue X J，最后对光陷阱理论在光电探测器中的进一步发展做出了预测与展望，之后进一步按器件类型梳理了光陷阱的实际应用。
2026，论文总引用5500余次，揭示了光陷阱通过慢光效应、光散射增强、导模耦合与共振增强等机制， Guo D Z，对暗电流的降低等，窦秀明， Guo J X，计算材料和器件研究组组长