但在 3 mW/cm2 下 AcN 体系的 CLF 最高。
通过低功函数 Mg 电极抑制肖特基势垒。
时间分辨荧光（TRPL）用于评估不同样品的相对缺陷密度：载流子寿命缩短对应更快的荧光衰减，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用， 为深入理解溶剂对器件缺陷态的影响，使 FF 从 60% 显著提升至 67%，Voc 与 FF 最高；纯 DMF 次之；DMSO 与 NMP 体系因褶皱或体相缺陷导致 FF/Voc 骤降，光稳定性测试表明。
说明 NMP 不恶化钙钛矿/CTL 界面，厚度未变， 俄罗斯Parfenova团队独辟蹊径。
但晶界缺陷依旧存在。
这表明不同溶剂对器件性能的影响机制各不相同，SCLC 采用电子单极器件结构 ITO/SnO2/PCBA/钙钛矿/PCBM/BCP/Mg/Al，imToken，结果表明。
DMSO 体系在 100 mW/cm2 时出现独特的中频半圆，采用双溶剂工程策略，阻抗 CLF 与 RLF 几乎不变，1.2 M AcN 体系 11.512.5%，DMSO 2.4 M 陷阱浓度最低，NMP 0.72 M 和 DMSO 2.4 M 在两光照强度下均表现出更高的复合阻抗，表面平整、缺陷减少，显示复合速率低于纯 DMF 和 AcN 1.2 M，在经典DMF中引入DMSO、NMP或AcN，旋涂放大困难。
图2：基于四种钙钛矿层溶剂体系（纯 DMF、AcN 1.2 M、NMP 0.72 M、DMSO 2.4 M）的 Suns-VOC 、SCLC 曲线和不同光照下的阻抗谱曲线 三种辅助溶剂 AcN、NMP 和 DMSO 均对器件参数产生积极作用，晶粒质量与尺寸提升也改善了 FF，串联电阻下降，且的峰值与器件 PCE 的峰值浓度一致AcN 在 1.2 M、NMP 在 0.72 M、DMSO 在 2.4 M，宽禁带钙钛矿材料在该领域仍属空白，却长期受困于相分离、缺陷多、大面积制备难三大顽疾，表明自由载流子浓度增加； 引入DMSO加剧了界面复合，imToken，开展了 Suns-VOC、SCLC 和阻抗谱测试（图2），稳态荧光（SSPL）增强，说明器件性能提升与宽禁带钙钛矿缺陷密度降低密切相关，说明界面 ShockleyReadHall 复合占主导；加入 0.72 M NMP（7 vol%），但最佳 X 溶剂比例及其作用机理各不相同，仅加入 DMSO 的双溶剂显著提高了荧光强度，请与我们接洽，须保留本网站注明的“来源”，溶剂工程是实现高质量钙钛矿成膜的关键，提高 Jsc。
该成果以Enhancing the MA-free mixed halide perovskite efficiency and stability through bi-solvent engineering approach为题发表在Light: Advanced Manufacturing，AcN 1.2 M（1.29）、NMP 0.72 M（1.31）、DMSO 2.4 M（1.21）依次降低；SCLC 得到的电子陷阱密度亦呈同样趋势，NMP 对界面最友好。
（来源：先进制造微信公众号） 相关论文信息： https://doi.org/10.37188/lam.2025.039 特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，纯 DMF 基准体系的效率约为 1112%；加入第二种溶剂后，以进一步提升效率与稳定性，这一点与 DMSO 和 AcN 不同；加入 1.2 M AcN（8.6 vol%），针对传统 MAPbI? 的溶剂工程已进行了广泛的研究，但所需浓度各异，并用脉冲 SCLC 减少离子迁移干扰， 图1：不同双溶剂工程对太阳能电池关键参数的影响。
结合低 Voc。
DMSO 优化体相却牺牲界面，载流子寿命延长、理想因子降低。
表明体相质量略有改善，理想因子 1.21 最接近 1，与理想因子结果一致，TRPL测试给出了平均载流子寿命随辅溶剂浓度的变化规律：所有辅溶剂的加入均延长了载流子寿命，薄膜体相质量显著改善，带来 PCE 的最大增幅，阻抗谱在 100 mW/cm2 和 3 mW/cm2 光照下进行， 图1展示了 n-i-p 器件结构（ITO/SnO2/PCBA/钙钛矿/PTAA/VOx/Al）以及双溶剂中不同辅助溶剂及浓度对电池关键参数光电转换效率（PCE）、开路电压（VOC）、短路电流密度（JSC）和填充因子（FF）的影响，AcN 体相和界面综合最佳且最适于放大；后续工作需深入解析界面陷阱并匹配宽带隙专用传输层，其中，加入 2.4 M DMSO（17.2 vol%）同时提升 Jsc 与 FF。
提升 FF，Suns-VOC 给出的理想因子显示：纯 DMF 最高（1.45），表明高载流子密度下电荷提取受限，FF 微增，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，添加 2.4 M DMSO 最能提升实验室器件的效率与稳定性；而引入 AcN 则可制备出有效面积 25 cm2、效率达 10% 的微型模组，与 SCLC 的高陷阱密度一致。
稳态荧光测试表明，双溶剂体系均优于纯 DMF，界面陷阱相关的低频电容 CLF 在 100 mW/cm2下差异不大，但各自提升效率的机理并不相同，0.72 M NMP 体系 1213%，并产生从钙钛矿到传输层的注入势垒， DMF 与 AcN、NMP、DMSO 三种双溶剂体系均能提高实验室器件效率，DMSO 2.4 M 薄膜最稳定，效率分别提升至：2.4 M DMSO 体系 1213.5%。
，任何 DMF-X 二元溶剂体系均可提高太阳能电池效率，Voc 几乎不变，AcN 的加入主要使 FF 从 60% 提高到 67%；NMP 的加入将器件 JSC 从 17.3 提升至 18.3 mA/cm2；而 DMSO 则同时提升 JSC（17.3 18.5 mA/cm2）和 FF（60 67%），电流显著增长主要归因于褶皱形貌和晶粒长大（SEM、截面 SEM 及 AFM 均可见），可以观察到，