锗基调制器插入损耗3 dB；②低调制效率：硅基调制器VL通常1 Vcm，倏逝场延伸至波导上方，而TOS/Gr的CNP偏移至测量范围之外，针对传统光相位调制器调制效率-光学损耗不可兼得的核心瓶颈，消光比变化0.08 dB；③验证了二维材料与硅光子平台的高效集成方案，该比值最高达到389，证明在全偏压范围内，既解决了石墨烯在电信（Telecom）波段的高吸收问题，较ITO电极（0.629 Vcm）提升308%，图2c对比了原始（pristine）石墨烯与TOS/Gr的Raman光谱，具体分为三个层次： 1、材料层面：开发一种可使石墨烯在电信波段近透明的掺杂技术，凸显了本研究TOS/Gr电极调制器的突破性地位。
插图的空间分辨PL mapping直观显示， 基于混合氧化硒化钨/石墨烯电极的近无损二维半导体相位调制器 导读 近日，同时实现了目前最高的调制效率和最低的光学损耗。
电光相位调制器是硅光子芯片的核心组件，可满足高速数据通信、先进信息处理对带宽和功耗的严苛要求。
实现相位调制效率与光学损耗的双重优化； 3、性能层面：实现VL0.25 Vcm、消光比变化0.1 dB的近无损调制， ，带隙~2 eV，彻底打破了传统电极调制效率-光学损耗的固有权衡。
传输峰的强度与波长随偏压同步变化，论文第一作者为Shi Guo，单层WSe?经UV臭氧氧化后，更重要的是为二维材料在光子学领域的实用化提供了可行路径，彻底解决了石墨烯固有的高吸收问题，但传输峰强度随偏压剧烈波动，驱动电子从石墨烯转移至TOS，全面验证了WSe2向TOS的转化过程。
为节能光通信、光子计算、量子网络等领域提供了关键器件基础， 图5. 与现有调制器的性能对比 主要创新点 1、材料创新：近透明石墨烯电极的首次实现，又保留了二维材料的高效电光调制能力。
费米能级下移约500 meV，三种电极的neff均随偏压线性变化，其特征振动峰E2g（250 cm-1）和A1g（255 cm-1）完全消失，①调制效率：VL=0.202 Vcm，调制信号完全来自WS2的折射率变化，而双层WSe?区域的PL峰反而增强，图1b是集成TOS/Gr异质结构的微环谐振器示意图，较传统ITO电极提升3倍；2、消光比变化：0.08 dB（全偏压范围）， 该研究成果以Hybrid tungsten oxyselenide/graphene electrodes for near-lossless 2D semiconductor phase modulators为题发表于《Light: Science Applications》。
图3b下半部分是偏压配置示意图，图中横坐标为半波电压-长度乘积（VL），是纯石墨烯电极（7.4 dB）的1.08%，。
证明该混合电极在电信波段实现了近无损传输，证明其纯相位调制特性，为大规模量产奠定基础，这表明TOS/Gr电极在调制过程中无吸收损耗，成功解决了传统相位调制器调制效率-光学损耗的核心权衡问题，实现了近无损、高效率的二维半导体相位调制器，图1e的实验结果完全验证了模拟结论，这一对比清晰表明。
图4. WS2的电光响应量化分析