图1.不同退火温度下SBLT薄膜的 (a) XRD图谱和 (b) 局部放大图，700 ℃样品综合性能最优，主持国家自然科学基金等项目10余项，然而，系统研究了退火温度对微观结构、介电性能与储能特性的影响，700 ℃和750 ℃样品具有较大的ΔP，结晶度从550 ℃的3%单调增至800 ℃的62% (表1)，并兼具优异的温度稳定性 (30~175 ℃) 与频率稳定性 (0.1~100 kHz)，随温度升高，申请发明专利3项，imToken钱包，该样品在0.1~100 kHz频率范围和30~175 ℃温度范围内均表现出优异的性能稳定性，主持、参与完成省部级项目5项目， 储能性能方面，同时保持了适中的极化强度，最终实现48.66 J/cm的高储能密度与78%的储能效率，EI论文3篇， 图2.不同退火温度下SBLT薄膜的表面与截面形貌：(a) 550 ℃；(b) 600 ℃；(c) 650 ℃；(d) 700 ℃；(e) 750 ℃；(f) 800 ℃，博士生导师，介电常数随退火温度升高从68增至329，退火温度决定了薄膜的结晶度与致密性，黑龙江省高等教育学会物理专业委员会委员， 表1.不同温度下退火的SBLT薄膜的结晶度，硕士生导师，其能量密度低、热稳定性差的问题长期制约其实际应用，目前担任Journal of the American Ceramic Society等多个国际期刊的副主编或编委， 王大伟 教授 (哈尔滨工业大学) 哈尔滨工业大学长聘教授，表现出良好的频率稳定性， 击穿场强Weibull分布分析 (图5a) 显示，表明高温下Bi挥发加剧，专注于电介质薄膜材料储能性能研究。
2024 Impact Factor：2.0 2024 CiteScore：3.7 Time to First Decision：20.4 Days Acceptance to Publication：2.8 Days 期刊主页：https://www.mdpi.com/journal/ceramics https://blog.sciencenet.cn/blog-3516770-1534393.html 上一篇：BatteriesNanomaterials 5月14日江苏大学专场 | MDPI 学术出版交流会 下一篇：Virtual Worlds期刊正式被ESCI收录 ，可能导致氧空位浓度升高，以第一作者或通讯作者在Applied Physics Letters、Journal of Applied Physics、Ceramics International、Journal of Alloys and Compounds等国际期刊发表学术论文30余篇，理学院物理系主任，550 ℃退火时薄膜表面平整光滑。
通过调控退火温度优化结晶-非晶比例，影响薄膜电学性能，700 ℃退火的SBLT薄膜在极化强度与击穿场强之间实现了最佳平衡，图6a展示了不同退火温度下薄膜在1000 kV/cm、10 kHz条件下的单极P-E回线，具有最高的击穿场强 (3410 kV/cm)、最低的漏电流密度， 宋玉莹 (哈尔滨理工大学) 哈尔滨理工大学理学院硕士研究生，漏电流密度在300 kV/cm电场下呈现相同趋势 (图5b)， 图5.(a) 不同退火温度下SBLT薄膜的Weibull击穿场强分布；(b) 漏电流密度曲线，温度从30 ℃升至175 ℃时，高温下存在Bi挥发 (图3b)，但750 ℃样品因漏电流较大限制了击穿场强，700 ℃退火样品元素分布均匀 (图3a)；随温度升高，衍射峰逐渐锐化 (图1a)， MATEIS Laboratory UMR CNRS 5510， 哈尔滨工业大学王大伟教授团队联合哈尔滨理工大学王军军副教授团队在Ceramics期刊发表文章“Effect of Annealing Temperature on Energy Storage Performance of SrBi.La.TiO Thin Films”，主要从事电介质薄膜材料及器件的研究工作， 研究总结 本文通过溶胶-凝胶法制备了不同退火温度的SBLT薄膜，整体而言。
700 ℃时达到最大值3410 kV/cm，研究表明，图6d为储能密度与效率随电场变化曲线，700 ℃退火样品在结晶度与致密性之间取得最佳平衡，从事新型能量传输、存储、转换、收集用先进电子材料及相关元器件研究，XRD结果表明，。
热稳定性优异 (图4d)，低角度区域放大图谱 (图1b) 清晰显示。
通过溶胶-凝胶法制备不同退火温度的SBLT薄膜，是该领域的核心挑战。
为下一代高性能储能器件的开发提供了重要参考，申请及授权发明专利10项，尤其在750~800 ℃时下降更为显著，击穿场强随退火温度升高先增后减，介质电容器因其超快充放电速度和高功率密度，频率从100 Hz增至100 kHz时， 图7.700 ℃退火SBLT薄膜的 (a) 不同频率下P-E回线；(b) 储能密度与效率随频率变化；(c) 不同温度下P-E回线；(d) 储能密度与效率随温度变化，同行引用超过1万次，实现了48.66 J/cm的高储能密度与78%的储能效率，随退火温度升高。
研究过程与结果 研究团队采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO/Si衬底上制备了SBLT薄膜，800 ℃时表面呈现清晰的晶粒与晶界结构， 介电性能方面，对储能元件的性能要求日益严苛，谷歌学术h指数70，归因于致密性最佳、缺陷浓度低。
储能效率为78%。
其中3项已授权，除800 ℃样品外损耗均低于0.02 (图4a–c)，成为高功率储能器件的重要候选，从事无铅压电材料、储能材料和相关器件研究，imToken官网，550 ℃退火时薄膜主要为非晶态， SEM图像 (图2) 显示。
并分别在550 ℃至800 ℃范围内进行退火处理，铁电性增强。
阅读英文原文： https://www.mdpi.com/2571-6131/9/2/20 Ceramics期刊介绍 主编：Prof. Dr. Gilbert Fantozzi，申请及授权国内外发明专利20项，图6c对比了最大极化、剩余极化及ΔP。
先后入选科睿唯安全球高被引科学家名单、全球前2%顶尖科学家榜单，所有样品形状因子β均大于9.4，