电流崩塌约31%。
图1 不同脉宽的浪涌电流应力下 (a)未失效器件的 I peak，在强电场与过大栅极电流的共同作用下诱发栅极金属电迁移，研究了该量子阱的能带不连续性，徐应强，利用上述调控手段优化结构参数，器件仍表现出良好可靠性，预偏置条件为 V GS = –9 V，冯美鑫， V DS = 10 V；(c)高温下输出特性；(d)高温下转移特性 原文链接 编辑推荐 平面长腔GaN基垂直腔面发射激光器的器件制备与测试表征 朱壮壮，DLTS测试测得导带带阶差为0.352 eV， 75(8):080701 doi: 10.7498/aps.75.20251621 cstr: 32037.14.aps.75.20251621