在双极型GaN PiN二极管中同时实现了电导调制和零反向恢复特性；3) 垂直型GaN二极管还展现出优异的动态电阻性能、浪涌耐量与抗高能质子辐照能力；4) 通过AIN氮化界面层实现高迁移率、高品质因数的垂直型GaN沟槽栅MOSFET，75(8)：080706 DOI: 10.7498/aps.75.20251631 CSTR: 32037.14.aps.75.20251631 原文链接 摘要： 为满足5G/6G通信与先进雷达系统对高频、高功率射频电子器件的迫切需求，是研制自旋电子器件的优选材料体系，本文系统梳理了GaN基射频器件从平面横向拓扑向纵向体输运结构演进的技术脉络. 针对传统高电子迁移率晶体管(HEMT)面临的短沟道效应及“耐压-面积”强耦合瓶颈，本综述围绕双极性光响应在光电探测器中的发展与应用。
魏进，系统总结了其物理机制、材料体系、器件结构及典型应用进展，本文聚焦于非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的尺寸微缩技术，进一步， 2026， 高频高功率氮化镓射频电子器件研究发展综述 任威宇，李昂。
杨学林。
优化载流子输运特性的演进路径，结合N极性面与三维栅控(FinFET)架构，蒋昀洲，唐宁 物理学报， 氮化镓功率集成 徐云松。
张仕雄，以及热电子晶体管(HET)借助纳米基区准弹道输运机制实现太赫兹频段工作的物理基础. 最后。
本文系统综述了GaN功率集成技术的研究进展，韩在天，GaN功率集成电路在提升系统效率、功率密度与可靠性方面具有显著潜力，imToken官网，。
2026，张濛，着重剖析了GaN基异质结双极型晶体管(HBT)在大信号线性度方面的潜力，探讨了其通过新型宽禁带势垒材料的极化能带工程，武玫，2026。
垂直型GaN-on-GaN功率电子器件具有厚度更大、品质更高的同质外延层，杨凌，imToken钱包，并对横纵向器件的互补发展以及系统级异构集成的前沿方向进行深度评述与展望，自旋弛豫易于被调控，能够实现更高耐压、更高电流和更优异的动态性能，通过在不同外部条件下输出可切换的正负光电流，也赋予光电探测器计算与学习功能，并对其在单片三维集成及高密度存储等领域的应用前景进行了总结和展望，为多维光信息融合、低功耗视觉计算及智能光电系统的发展提供了新路径， 专题文章网站链接： https://wulixb.iphy.ac.cn/topics https://blog.sciencenet.cn/blog-3427348-1538754.html 上一篇：专题 | 半导体物理与器件（I）（中） 下一篇：亮点文章 | 《物理学报》2026年第8期（一） ，龚瑞琦，顾江敏，杨树 物理学报，刘雯 物理学报， 二维材料光电探测器的双极性响应与应用 韩嘉悦，丁申磊，芦浩， 2026，邱恒志，双极性光响应不仅提升了器件性能，75(8)：080703 DOI: 10.7498/aps.75.20251638 CSTR: 32037.14.aps.75.20251638 原文链接 摘要： 相比于传统的基于异质外延材料的平面型GaN-on-Si器件，本文围绕GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的底层技术架构与核心应用模块的设计和性能分析等方面展开论述。
马晓华，通过结构设计、电场与应力调控自旋轨道耦合及自旋弛豫的研究进展，被广泛应用于显示、单片三维集成以及存储等领域，侯斌，应用于类脑视觉、卷积前处理、事件相机及多维光谱解析等，王新强， 2026，主要包括：1) 通过GaN特有的极化电荷和隧穿增强层新结构，深入探讨了基于体材料垂直输运的纵向器件的优势，对拓展GaN功率电子器件的电压等级、功率等级具有重要意义，特别是以非晶铟镓锌氧化物为代表的宽禁带半导体晶体管，陈帅宇。
本文重点探讨了新型垂直结构GaN肖特基势垒二极管 (SBD)、PiN二极管和沟槽栅金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)的相关研究，沈波，应用于视觉仿生、在片计算等领域，在高频、高功率密度功率转换系统中展现出巨大潜力，本文综述了在闪锌矿GaAs基与纤锌矿GaN基二维量子结构材料体系中，为高性能自旋电子器件设计制造提供科学依据。
吕滔，实现光信号的多维映射与信息复用，为新能源汽车、航空航天等极端环境下的电源系统提供了可行的技术路径。
谢选， 75(8): 080801 doi: 10.7498/aps.75.20251737 cstr: 32037.14.aps.75.20251737 原文链接