推动数字投影光刻技术向着先进制程节点工艺迈进， 基于数字相移掩模调制的投影光刻分辨率增强技术 导读 近日。
须保留本网站注明的“来源”，为先进微纳光学制造技术发展提供新的支撑，通过4F成像系统共轭像对准相位SLM加载的数字相位版图，请与我们接洽，团队将进一步优化数字相移掩模设计方法，暨南大学物理与光电工程学院赵圆圆/段宣明教授团队在Light: Advanced Manufacturing发表了题为Digital phase-shift mask projection lithography enabling sub-diffraction-limit resolution for dense nanoscale patterning的研究论文，难以满足未来纳米电子学和纳米光子学的发展需求，通过对数字掩模光场振幅与相位的协同独立调控，突破了传统在轴照明数字光刻的分辨率极限约束（斯派洛判据。
周期约370nm，特别适用于小批量、多品种和定制化微纳器件制造，成功突破投影光刻约185 nm（Half-pitch ~0.25/NA）理论周期分辨率限制，在振幅SLM加载的密集数字版图之后，使原本重叠的光场发生相消干涉。
实验结果表明：单次曝光即可获得最小约60 nm线宽的纳米线结构；实现235 nm周期（Half-pitch约117.5 nm）的高密度线阵列加工，从而突破常规成像分辨率限制，现有数字光刻系统的典型分辨率通常停留在微米至亚微米尺度，如何将相移掩模的超分辨能力与数字光刻的灵活可编程优势相结合，目前获得的制造能力已经接近90 nm工艺节点对应的金属层图形要求，对于复杂、非规则布局的芯片版图同样具有优异的加工能力，研究结果表明，有效突破了传统数字光刻在衍射极限和像素耦合方面的关键瓶颈，数字投影光刻的分辨率受到光学衍射极限和数字掩模像素尺寸的双重制约，还能够在保持图形完整性的同时显著提高结构密度，imToken钱包，为高信息容量芯片制造提供了新的解决方案。
以及工艺极限分析 为了验证技术的实际应用价值，（来源：先进制造微信公众号） 相关论文信息： https://doi.org/10.37188/lam.2026.080 特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要， 在传统半导体光刻领域，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜， 该技术不仅有望服务于先进集成电路原型验证和专用芯片开发， 图1：基于数字相移掩模调制的投影光刻分辨率增强技术原理图 针对这一挑战，结合人工智能辅助计算光刻、深紫外光源以及高阶多光子聚合加工技术，该方法能够在单次曝光中实现约60 nm（0.16 /NA）线宽及235 nm（half pitch ~0.32 /NA）周期的高密度纳米结构加工。
图3：数字相移掩模调制曝光密集图案结果与仿真对比，实验结果显示，实现了高保真的数字相移掩模生成，能够显著缩短芯片设计到原型验证周期，未来。
并利用相位差诱导的干涉消相效应。
以数字微镜器件（DMD）和液晶硅空间光调制器（LCOS-SLM）为核心的数字掩模投影光刻因具有无掩模、低成本、高灵活性和快速迭代等优势， 近年来，成为下一代光刻技术的重要发展方向。
然而，周期可缩小至158 nm（half pitch ~0.21 /NA），邻近图形的光场会发生严重重叠，当投影倍率不断提高、相邻像素间距缩小至亚波长尺度时，