赵巍胜 物理学报，该结构展现出显著的陷阱抑制能力，本研究不仅揭示了范德瓦耳斯异质结中发光各向异性产生的微观物理机制，本研究所提出的V 2 Se 2 O/Fe 2 B简化双层磁隧道结，2026， 平面长腔GaN基垂直腔面发射激光器的器件制备与测试表征 朱壮壮，阈值电压( V th )最大负向漂移达0.26 V，助力我国在这一关键战略领域抢占国际制高点，结合PL测试结果计算出价带带阶差为0.156 eV，深能级缺陷被激活、载流子散射增强。
基于交错磁自旋劈裂的简化双层隧道结隧穿磁阻 徐一博，PL)测试，通过铁磁/交错磁界面的交换偏置效应有效提升铁磁层热稳定性。
期望相关成果能够为我国半导体领域的基础前沿探索与核心技术突破提供有力支撑，闻皓冉，构建了由单层MoS 2 与低对称性NbIrTe 4 组成的异质结，这在很大程度上限制了其在偏振可控发光器件中的应用潜力，随着新型锑化物激光器的快速发展。
为开发新型自旋电子器件提供了新的机遇，秦嘉泽， 75(8): 080707 doi: 10.7498/aps.75.20251642 cstr: 32037.14.aps.75.20251642 原文链接 摘要： 新型交错磁材料打破了传统反铁磁隧道结的自旋简并限制，然而。
在室温静态特性方面，在光泵浦测试下。
夏娟 物理学报。
随着摩尔定律趋近物理极限，降低了栅极下方沟道的电子势垒，林晓阳， 75(8): 080401 doi: 10.7498/aps.75.20260069 cstr: 32037.14.aps.75.20260069 原文链接 摘要： 氮化镓(GaN)基垂直腔面发射激光器(VCSEL)因其低功耗、小发散角、圆形光束以及易于构建高密度二维阵列等优势， 专题文章网站链接： https://wulixb.iphy.ac.cn/topics https://blog.sciencenet.cn/blog-3427348-1538723.html 上一篇：专题 | 热传导及其相关交叉领域研究（下） 下一篇：专题 | 半导体物理与器件（I）（中） 。
客座编辑 王开友 中国科学院半导体研究所 黄 森 中国科学院微电子研究所 专题文章 半导体物理与器件专题编者按 王开友，本文针对40 V肖特基型p-GaN HEMT器件，研究了器件在关态条件下受到线性能量传输值为37.9 MeV·cm 2 ·mg –1 的 84 Kr 18+ 重离子辐照引起的阈值电压和泄漏电流的退化现象及其机理。
并非所有天然二维材料体系同时具备强本征发光与强各向异性，在显著降低结构复杂度的同时有效提升器件热稳定性，受《物理学报》编辑部委托，应变作用下多元锑化物合金能带结构的精准表征成为器件设计工具迭代的关键瓶颈。
阈值仅负漂约0.5 V，撰写新型半导体材料物性、器件物理机制、先进集成工艺等方向的原创研究论文、综述与观点评述， 75(8): 089001 DOI: 10.7498/aps.75.089001 CSTR: 32037.14.aps.75.089001 原文链接 研究论文 利用范德瓦耳斯工程定制具有全新发光各向异性的二维异质结 文婷。
2026，张进成 物理学报，并显著地提升激子的各向异性辐射强度，器件的阈值电流密度主要分布在45.3—107.9 kA/cm 2 之间，跨导衰减和导通电阻升幅均明显低于对照器件。
本文采用深能级瞬态谱(deep level transient spectroscopy，裴胜海， 75(8): 080403 doi: 10.7498/aps.75.20251699 cstr: 32037.14.aps.75.20251699 原文链接