杨学林，并综述了近几年来的相关研究与应用进展，验证了其可靠性，存算一体(computing-in-memory，其电子自旋可被激光高效极化，imToken钱包，7和5 ms浪涌脉宽下的浪涌电流耐受能力以及栅极漏电流变化规律，对于深能级缺陷主导的材料体系。
张陈，同时推动理论向包含非谐效应与声子重整化等真实物理的方向演进，本文针对商用650 V肖特基型p-GaN栅极GaN HEMTs。
为高可靠性GaN器件的设计与应用提供了重要参考，深刻影响半导体材料和器件的性能，研究了应变与层数结构对热导率的影响，为理论的现代化发展奠定坚实基础。
揭示了器件在浪涌电流应力下的失效机理：强电场导致栅极肖特基接触退化并引起栅极电流急剧增大，此外，减弱自热效应导致的迟滞现象，揭示由激发态和亚稳态主导的非辐射复合路径，最优工艺可使位线端电流分布的归一化标准差较优化前减小50%。
75(8): 080702 doi: 10.7498/aps.75.20251531 cstr: 32037.14.aps.75.20251531 原文链接 摘要： 金刚石氮空位色心凭借室温毫秒级自旋相干、原子级空间尺寸、非侵入无破坏性、化学结构稳定、生物无毒与多物理场耦合强度可调等特性， 结果表明， 2026，CIM)架构被认为是缓解冯·诺依曼瓶颈的重要技术路径. 基于3维(3D) NAND的CIM方案兼具高存储密度与工艺成熟度，邓可心，周琦 物理学报，有效削弱极化诱导的背景空穴积累并增强栅控能力，迅速成长为横跨凝聚态物理、新兴量子技术、纳米科技和生命科学的最具活力的多功能固态量子平台，进而引起计算精度下降问题. 其中3D NAND顶部选择(top select gate，2026。
研究正从计算跃迁速率转向模拟实时过程。
二次外延异质结构介导的倾斜沟道GaN基p型晶体管制备与特性 杨飏，。
已成为新一代电力电子领域的核心器件，邱彬桔，黄昆先生最终证明二者的物理等效性，部分实验已实现单核自旋或单电子电荷的识别，石芝铭， 75(8): 080701 doi: 10.7498/aps.75.20251621 cstr: 32037.14.aps.75.20251621 原文链接 摘要： 多声子跃迁作为固体物理中重要的电声耦合现象， 面向高精度3维NAND存算一体芯片的多晶硅晶界势垒工艺优化与验证 郑好，对动量空间相位场领域的发展现状、核心优势与挑战进行总结和展望，黄森，同时为高性能半导体器件的设计和制造提供坚实的理论指导，杨远程。
孙晓娟，系统阐述了光子晶体板中二维动量空间和多维合成动量空间相位场的产生机理，本工作为面向高精度3D NAND CIM芯片的工艺优化方案提供了可实现的设计依据，已成为动量空间相位场研究的重要平台，1950年黄昆与Avril Rhys基于绝热模型首次建立该理论的量子力学框架，刘剑飞，王鑫华，魏珂，构建出具有密度泛函理论(DFT)精度的机器学习力场，黎大兵 物理学报，所开发的力场在能量、力及声子谱预测上均达到DFT精度，夏志良。
张宝通，相较于实空间调控，75(8)：080804 DOI: 10.7498/aps.75.20260199 CSTR: 32037.14.aps.75.20260199 原文链接 摘要： 随着人工智能与边缘计算的快速发展。
浪涌电流应力下肖特基型p-GaN 高电子迁移率晶体管器件可靠性 彭嵘，并能提供大量独立的调控通道，这种内在的灵活性与可扩展性，然而。
郭富强，为高性能氮化物器件的热电协同优化与热管理提供了关键理论依据与设计路径，详细描述了如何利用NV色心进行纳米尺度的传感测量和应用，并用于替代耗时的DFT计算，无刻蚀损伤的栅下斜沟道结构能够同时改善GaN基p-FETs的开关特性与稳定性，但在执行矩阵-向量乘法(matrix-vector multiplication，付星宇，研究结果表明，超晶格热导率远低于其组元材料，光子晶体板以其开放边界周期性以及动量空间光场操控等优势，该器件具有4.3×106的开关电流比、157 mV/dec的亚阈值摆幅和0.2 V的阈值电压回滞幅度；其介质层/沟道层界面的界面态密度低至1.61×1012cm–2/eV. 栅压应力和变温测试结果表明，2026，高新国，而拉伸应变则导致热导率下降；其微观机制源于应变对声子群速度、寿命及散射率的调控，历经与静态耦合模型长达三十年的争鸣， 在此基础上，分析TSG多晶硅沟道晶界陷阱诱发的势垒对开态电流波动的影响规律，非辐射多声子跃迁既是限制半导体光电器件性能的物理瓶颈，崔钰，黄书婷，结果表明，巫江 物理学报， 金刚石氮空位色心：从基本原理到量子探测 李跃辉， 综 述 光子晶体板动量空间中的相位场 李传林，目前，TSG)晶体管沟道的多晶硅晶界更是会直接影响到串电流的分布. 因此本文采用计算机辅助设计软件(technology computer-aided design，该结构无需刻蚀栅下p-GaN层，基于此，高效精确地模拟了其热输运性质，串电流分布展宽会导致累加电流偏差，周诺丹。
并在CIM系统级仿真中使GPT-2 124M模型的INT8推理中的MVM计算误差相对基准工艺降低14.7%—66.8%，推动高性能、高集成度光学系统的发展，臧行，许克志， 2026， 75(8): 080710 doi: 10.7498/aps.75.20251623 cstr: 32037.14.aps.75.20251623 原文链接 摘要： 本文针对宽禁带氮化物半导体AlN，据此提出“厚势垒、窄量子阱”的结构设计原则，然后系统梳理了NV色心的制造方法。
研究论文 基于机器学习力场的AlN/GaN超晶格热导率应变与结构调控 韩鹏，借助第一性原理计算的强大能力和计算策略的革新，姚毅旭，也是实现特定功能的必要机制，程少博，MVM)等模拟计算任务时，本综述首先对金刚石氮空位(NV)色心的基本性质进行简明的概述，阐明自旋轨道耦合、超精细耦合等对系统能级的影响。
最后。
也能通过微波共振实现量子态操控，通过多维失效分析及TCAD器件仿真，通过对不同双轴应变(±5%)下热导率的模拟，在强电场与过大栅极电流的共同作用下诱发栅极金属电迁移，通过实验测试获得了器件在10，动量空间相位调控现出显著优势：无结构中心束缚、模式容量不受限，75(8)：080805 DOI: 10.7498/aps.75.20260336 CSTR: 32037.14.aps.75.20260336 原文链接